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SQ2315ES-T1_GE3  与  IRLML6401TRPBF  区别

型号 SQ2315ES-T1_GE3 IRLML6401TRPBF
唯样编号 A3-SQ2315ES-T1_GE3 A-IRLML6401TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@3.5A,10V 50mΩ@4.3A,4.5V
漏源极电压Vds 12V 12V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Tc) 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±8V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
连续漏极电流Id 5A(Tc) 4.3A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 950mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 830pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 4V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 6,000 3,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQ2315ES-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 6,000 当前型号
IRLML6401TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 3,000 对比
IRLML6401TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

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