SQD50N10-8M9L_GE3 与 AOD2810 区别
| 型号 | SQD50N10-8M9L_GE3 | AOD2810 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SQD50N10-8M9L_GE3 | A36-AOD2810 | ||||||
| 制造商 | Vishay | AOS | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Crss(pF) | - | 14 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.99mΩ | 8.5mΩ@20A,10V | ||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 12mΩ | ||||||
| Qgd(nC) | - | 4 | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||
| Td(on)(ns) | - | 11.5 | ||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | 50A | 46A | ||||||
| Ciss(pF) | - | 1871 | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||
| Trr(ns) | - | 32 | ||||||
| Td(off)(ns) | - | 21.5 | ||||||
| 漏源极电压Vds | 2V | 80V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 136W(Tc) | 100W | ||||||
| Qrr(nC) | - | 162 | ||||||
| VGS(th) | - | 3.4 | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 系列 | SQD | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2950pF @ 25V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 70nC @ 10V | - | ||||||
| Coss(pF) | - | 265 | ||||||
| Qg*(nC) | - | 26.5* | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 6,000 | 2,407 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SQD50N10-8M9L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 50A 8.99mΩ 2V 车规 |
暂无价格 | 6,000 | 当前型号 |
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AOD2810 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 80V ±20V 46A 100W 8.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 6,000 | 对比 |
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AOD296A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V 20V 70A 89W 8.3mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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