SQ2362ES-T1_GE3 与 FDN5632N-F085 区别
| 型号 | SQ2362ES-T1_GE3 | FDN5632N-F085 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SQ2362ES-T1_GE3 | A3-FDN5632N-F085 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | SQ2362ES Series 60 V 0.068 Ohm 4.3 A SMT Automotive N-Channel Mosfet - SOT-23 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 1.1W(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 147mΩ | 82 毫欧 @ 1.7A,10V |
| 漏源极电压Vds | 1.5V | 60V |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 4.3A | 1.7A(Ta) |
| 系列 | 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 550pF @ 30V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 475pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 48,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SQ2362ES-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 4.3A 147mΩ 1.5V 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDN5632N-F085 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
N-Channel 60V 1.7A(Ta) ±20V 82 毫欧 @ 1.7A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 |
暂无价格 | 48,000 | 对比 | |
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FDN5632N-F085 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
N-Channel 60V 1.7A(Ta) ±20V 82 毫欧 @ 1.7A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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FDN5632N-F085 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
N-Channel 60V 1.7A(Ta) ±20V 82 毫欧 @ 1.7A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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