TJ30S06M3L(T6L1,NQ 与 SQD50P06-15L_GE3 区别
| 型号 | TJ30S06M3L(T6L1,NQ | SQD50P06-15L_GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-TJ30S06M3L(T6L1,NQ | A3-SQD50P06-15L_GE3 |
| 制造商 | Toshiba | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 30A DPAK | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 15.5mΩ |
| 漏源极电压Vds | 60 V | 2.5V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 68W(Tc) | 136W(Tc) |
| 产品状态 | 在售 | - |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 21.8 毫欧 @ 15A,10V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 3950 pF @ 10 V | - |
| Vgs(th) | 3V @ 1mA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 80 nC @ 10 V | - |
| 封装/外壳 | DPAK+ | TO-252 |
| 工作温度 | 175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 30A(Ta) | 50A |
| 系列 | - | SQ |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5910pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 150nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | +10V,-20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 6V,10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2,431 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TJ30S06M3L(T6L1,NQ | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 68W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 30A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
SQD50P06-15L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 P-Channel 50A 15.5mΩ 2.5V 车规 |
暂无价格 | 2,431 | 对比 | ||||
|
|
SQD50P06-15L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 P-Channel 50A 15.5mΩ 2.5V 车规 |
￥4.0139
|
0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
