FDS8958A_F085 与 SI4532CDY-T1-GE3 区别
| 型号 | FDS8958A_F085 | SI4532CDY-T1-GE3 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDS8958A_F085 | A36-SI4532CDY-T1-GE3 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | 30V 7A/-5A 28 mO / 52 mO Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET - SO-8 | MOSFET | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 28m Ohms@7A,10V | 47 mOhms @ 3.5A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 900mW | 2.78W | ||||||||
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA | ||||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | SOIC | 8-SOIC | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 7A/5A | 6A,4.3A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||
| 系列 | 汽车级,AEC-Q101,PowerTrench® | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 575pF @ 15V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 16nC @ 10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 20,000 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS8958A_F085 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
7A,5A 28m Ohms@7A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) 8-SO SOIC N+P-Channel 30V 7A/5A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
|
SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A,4.3A N+P-Channel 47 mOhms @ 3.5A,10V 2.78W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥2.134
|
20,000 | 对比 | ||||||||||
|
|
SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A,4.3A N+P-Channel 47 mOhms @ 3.5A,10V 2.78W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
|
SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A,4.3A N+P-Channel 47 mOhms @ 3.5A,10V 2.78W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
