首页 > 商品目录 > > > > SQJ474EP-T1_GE3代替型号比较

SQJ474EP-T1_GE3  与  BUK9Y41-80E,115  区别

型号 SQJ474EP-T1_GE3 BUK9Y41-80E,115
唯样编号 A3t-SQJ474EP-T1_GE3 A-BUK9Y41-80E,115
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-CH 100-V PPAK SO-8L MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 30 mOhms @ 10A,10V -
漏源极电压Vds 100V 80V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) 64W
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
输出电容 - 99pF
栅极电压Vgs - ±10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 SOT669
连续漏极电流Id 26A(Tc) 24A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C
输入电容 - 1180pF
Vgs(最大值) ±20V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 41mΩ@5A,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQJ474EP-T1_GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

26A(Tc) N-Channel 30 mOhms @ 10A,10V 45W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~175°C 100V 车规

暂无价格 0 当前型号
BUK9Y38-100E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 94.9W -55°C~175°C ±10V 100V 30A

暂无价格 8,538 对比
BUK9Y41-80E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 64W -55°C~175°C ±10V 80V 24A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售