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SQJQ150E-T1_GE3  与  BUK7S2R0-40HJ  区别

型号 SQJQ150E-T1_GE3 BUK7S2R0-40HJ
唯样编号 A3t-SQJQ150E-T1_GE3 A-BUK7S2R0-40HJ
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 BUK7S2R0-40H/SOT1235/LFPAK88
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 187W -
功率耗散(最大值) - 183W(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
产品特性 车规 车规
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5075 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 70 nC @ 10 V
封装/外壳 PowerPAK® 8 x 8L SOT1235
等级 - 汽车级
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 233A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.6V @ 1mA
资质 - AEC-Q100
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2 毫欧 @ 25A,10V
Vgs(最大值) - +20V,-10V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 190A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 40 V
导通电阻Rds(On) 1.9mΩ@20A,10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
2,000+ :  ¥11.434
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQJQ150E-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK® 8 x 8L -55°C~175°C 233A 1.9mΩ@20A,10V 40V 187W ±20V N-Channel 车规

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2,000: ¥11.434
0 对比
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¥6.818 

阶梯数 价格
2,000: ¥6.818
4,000: ¥6.5453
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