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SQJ940EP-T1_GE3  与  BUK9K18-40E,115  区别

型号 SQJ940EP-T1_GE3 BUK9K18-40E,115
唯样编号 A3t-SQJ940EP-T1_GE3 A-BUK9K18-40E,115
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 DUAL N-CH 40-V PPAK SO-8L BUK9K18 Series 40 V 19.5 mO Dual N-Channel TrenchMos Logic Level FET- LFPAK-56D
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ@15A,10V -
漏源极电压Vds 40V 40V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 48W,43W 38W
输出电容 - 137pF
栅极电压Vgs ±20V 1.7V
FET类型 2N-Channel N-Channel
封装/外壳 SO-8L-4 SOT1205
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C
连续漏极电流Id 15A,18A 30A
系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 896pF @ 20V -
输入电容 - 796pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 20V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 19.5mΩ@5V,16mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQJ940EP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

48W,43W -55°C~175°C(TJ) SO-8L-4 2N-Channel 15A,18A 16mΩ@15A,10V 40V ±20V 车规

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