SQM50028EM_GE3 与 IRF3805S-7PPBF 区别
| 型号 | SQM50028EM_GE3 | IRF3805S-7PPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SQM50028EM_GE3 | A-IRF3805S-7PPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 55 V 300 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-7 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2mΩ | 2.6mΩ@140A,10V |
| 上升时间 | 26ns | - |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Qg-栅极电荷 | 123nC | - |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | 10V |
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V |
| 封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak | D2PAK(7-Lead) |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 120A | 240A |
| 配置 | Single | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 下降时间 | 25ns | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 11900pF | 7820pF |
| 漏源极电压Vds | 60V | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | 375W | 300W(Tc) |
| 典型关闭延迟时间 | 105ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | 25V |
| 系列 | SQ | HEXFET® |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 7820pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 200nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 48ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 185nC | 200nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQM50028EM_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-263-7,D²Pak 120A 375W 2mΩ 60V 3V N-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRF3805S-7PPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.6mΩ@140A,10V N-Channel 55V 240A D2PAK(7-Lead) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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