PJW4N06A-AU_R2_000A1 与 NDT3055 区别
| 型号 | PJW4N06A-AU_R2_000A1 | NDT3055 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-PJW4N06A-AU_R2_000A1 | A36-NDT3055 | ||||||||
| 制造商 | Panjit | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 60 V 0.1 O SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-223 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率 | - | 3W | ||||||||
| 宽度 | - | 3.7mm | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 100mΩ@3A,10V | 180 m0hms | ||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||
| 引脚数目 | - | 3+Tab | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | -20 V、+20 V | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-223 | 6.7*3.7*1.7mm | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -65°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 4A | 4 A | ||||||||
| 长度 | - | 6.7mm | ||||||||
| 最低工作温度 | - | -65 °C | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||
| 最高工作温度 | - | +150 °C | ||||||||
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms | ||||||||
| 正向二极管电压 | - | 1.2V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 250pF @ 30V | ||||||||
| 高度 | - | 1.7mm | ||||||||
| 典型关断延迟时间 | - | 37 ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 250 pF @ 30 V | ||||||||
| 晶体管材料 | - | Si | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.7W | 3W(Ta) | ||||||||
| 晶体管配置 | - | 单 | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | 增强 | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 250pF @ 30V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 15nC @ 10V | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 10 ns | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 15nC @ 10V | ||||||||
| 正向跨导 | - | 6S | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 25,000 | 2,783 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PJW4N06A-AU_R2_000A1 | Panjit | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V ±20V 100mΩ@3A,10V SOT-223 3.7W -55°C~175°C 4A 车规 |
暂无价格 | 25,000 | 当前型号 | ||||||||||
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NDT3055 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V SOT-223 增强 6.7*3.7*1.7mm 250 pF @ 30 V |
￥1.716
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2,783 | 对比 | |||||||||||
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ZXMS6006SGTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-223 |
￥3.762
|
885 | 对比 | ||||||||||
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ZXMS6006SGTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BUK98150-55A | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BUK98150-55A | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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