BSS123_R1_00001 与 BSS123N H6327 区别
| 型号 | BSS123_R1_00001 | BSS123N H6327 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-BSS123_R1_00001 | A-BSS123N H6327 | ||||||
| 制造商 | Panjit | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 宽度 | - | 1.3mm | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6Ω@170mA,10V | 2.4Ω | ||||||
| 上升时间 | - | 3.2ns | ||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW | 500mW(1/2W) | ||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 900pC | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 410mS | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 7.4ns | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | 170mA | 190mA | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||
| 配置 | - | Single | ||||||
| 系列 | - | BSS123 | ||||||
| 长度 | - | 2.9mm | ||||||
| 下降时间 | - | 22ns | ||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 2.3ns | ||||||
| 高度 | - | 1.10mm | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 4,899 | 3,000 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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BSS123_R1_00001 | Panjit | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 100V ±20V 6Ω@170mA,10V SOT-23 170mA 500mW -55°C~150°C |
¥0.2355
|
4,899 | 当前型号 | ||||||||
|
BSS123-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
¥0.1635
|
6,000 | 对比 | ||||||||
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BSS123,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
TO-236AB N-Channel 0.25W 150°C 20V 100V 0.15A |
¥0.4446
|
5,353 | 对比 | ||||||||
|
BSS123-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||
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BSS169 H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 360mW 6Ω@0.17A,10V -55°C ~ 150°C ±20V 100V 170mA |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||
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BSS123N H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
100V 190mA 2.4Ω 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |