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BUK9K18-40E,115  与  SQJB04ELP-T1_GE3  区别

型号 BUK9K18-40E,115 SQJB04ELP-T1_GE3
唯样编号 A-BUK9K18-40E,115-CN A3t-SQJB04ELP-T1_GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 未分类
描述 BUK9K18 Series 40 V 19.5 mO Dual N-Channel TrenchMos Logic Level FET- LFPAK-56D
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT1205 -
工作温度 175°C -
连续漏极电流Id 30A -
漏源极电压Vds 40V -
输入电容 796pF -
Pd-功率耗散(Max) 38W -
Rds On(max)@Id,Vgs 19.5mΩ@5V,16mΩ@10V -
输出电容 137pF -
栅极电压Vgs 1.7V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK9K18-40E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT1205 N-Channel 38W 175°C 1.7V 40V 30A

暂无价格 0 当前型号
SQJ940EP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

48W,43W -55°C~175°C(TJ) SO-8L-4 2N-Channel 15A,18A 16mΩ@15A,10V 40V ±20V 车规

暂无价格 55 对比
SQJ940EP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比
SQJB04ELP-T1_GE3 Vishay 未分类

暂无价格 0 对比

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