SQ4920EY-T1_GE3 与 DMG4800LSD-13 区别
| 型号 | SQ4920EY-T1_GE3 | DMG4800LSD-13 | ||||
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| 唯样编号 | A-SQ4920EY-T1_GE3 | A36-DMG4800LSD-13 | ||||
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | DMG4800 Series Dual N-Channel 30 V 8.5 A 16 Mohm Mosfet - SOIC-8 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 4.4W | 1.17W | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - | ||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO | ||||
| 连续漏极电流Id | 8A | 7.5A | ||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.6V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 798pF @ 10V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 8.56nC @ 5V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 14.5 mOhms @ 6A,10V | 16mΩ@9A,10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 108 | 852 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SQ4920EY-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8A 2N-Channel 14.5 mOhms @ 6A,10V 4.4W 8-SOIC -55°C~175°C 30V 车规 |
暂无价格 | 108 | 当前型号 | ||||||||||
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AO4822A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥1.3799
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3,012 | 对比 | ||||||||||
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AO4822A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥2.09
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1,771 | 对比 | ||||||||||
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DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
16mΩ@9A,10V 1.17W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 7.5A |
￥1.562
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852 | 对比 | ||||||||||
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AO4822A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 3 | 对比 | ||||||||||
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AO4822A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥1.5718
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0 | 对比 |
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