BUK7S2R0-40HJ 与 SQJQ150E-T1_GE3 区别
| 型号 | BUK7S2R0-40HJ | SQJQ150E-T1_GE3 | ||||
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| 唯样编号 | A3n-BUK7S2R0-40HJ | A-SQJQ150E-T1_GE3 | ||||
| 制造商 | Nexperia | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | BUK7S2R0-40H/SOT1235/LFPAK88 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 187W | ||||
| 功率耗散(最大值) | 183W(Ta) | - | ||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||
| 产品特性 | 车规 | 车规 | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 40V | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 5075 pF @ 25 V | - | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 70 nC @ 10 V | - | ||||
| 封装/外壳 | SOT1235 | PowerPAK® 8 x 8L | ||||
| 等级 | 汽车级 | - | ||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C | ||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3.6V @ 1mA | - | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 233A | ||||
| 资质 | AEC-Q100 | - | ||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 2 毫欧 @ 25A,10V | - | ||||
| Vgs(最大值) | +20V,-10V | - | ||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 190A(Ta) | - | ||||
| 漏源电压(Vdss) | 40 V | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 1.9mΩ@20A,10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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BUK7S2R0-40HJ | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) N 通道 车规 SOT1235 |
￥6.818
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0 | 当前型号 | ||||||
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SQJQ150E-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK® 8 x 8L -55°C~175°C 233A 1.9mΩ@20A,10V 40V 187W ±20V N-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SQJQ150E-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK® 8 x 8L -55°C~175°C 233A 1.9mΩ@20A,10V 40V 187W ±20V N-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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