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SI2374DS-T1-GE3  与  AO3420L_103  区别

型号 SI2374DS-T1-GE3 AO3420L_103
唯样编号 A-SI2374DS-T1-GE3 A-AO3420L_103
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 Si2374DS Series 20 V 0.030 Ohm SMT N-Channel MOSFET - SOT-23 (TO-236)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@4A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 96mW,80mW -
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-236 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 4.5A 6A(Ta)
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 735pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V -
库存与单价
库存 15,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.8429
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2374DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

TO-236

¥0.8429 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.8429
15,000 当前型号
AO3420L_103 AOS  数据手册 功率MOSFET

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AO3420L AOS  数据手册 功率MOSFET

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SOT-23-3

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