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SQ7414CENW-T1_GE3  与  BUK9M31-60ELX  区别

型号 SQ7414CENW-T1_GE3 BUK9M31-60ELX
唯样编号 A-SQ7414CENW-T1_GE3 A3n-BUK9M31-60ELX
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 BUK9M31-60EL/SOT1210/mLFPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 62W(Ta)
上升时间 13ns -
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 25nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1867 pF @ 25 V
栅极电压Vgs 20V -
正向跨导 - 最小值 50S -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 37 nC @ 10 V
封装/外壳 PowerPAK 1212-8W SOT1210
连续漏极电流Id 18A -
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 20.6 毫欧 @ 10A,10V
Vgs(最大值) - ±10V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 15ns -
导通电阻Rds(On) 23mΩ -
功率耗散Pd 62W -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
典型关闭延迟时间 22ns -
FET类型 N-Channel N 通道
等级 - 汽车级
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 1mA
通道数量 1Channel -
资质 - AEC-Q100
25°C时电流-连续漏极(Id) - 35A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60 V
典型接通延迟时间 8ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
1,500+ :  ¥1.9749
3,000+ :  ¥1.8959
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQ7414CENW-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

60V 18A 23mΩ 20V 62W N-Channel -55°C~175°C 车规 PowerPAK 1212-8W

暂无价格 0 当前型号
BUK9M31-60ELX Nexperia  数据手册 通用MOSFET

SOT1210 -55°C~175°C(TJ) N 通道 车规

¥3.312 

阶梯数 价格
1,500: ¥3.312
0 对比
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