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SQJ420EP-T1_GE3  与  BUK9Y29-40E,115  区别

型号 SQJ420EP-T1_GE3 BUK9Y29-40E,115
唯样编号 A-SQJ420EP-T1_GE3 A36-BUK9Y29-40E,115
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 45W 37W
上升时间 4ns -
漏源极电压Vds 40V 40V
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 41nC -
输出电容 - 85pF
栅极电压Vgs 1.5V ±10V
典型关闭延迟时间 25ns -
正向跨导 - 最小值 68S -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 PowerPAK-SO-8L-4 SOT669
连续漏极电流Id 30A 25A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C
系列 TrenchFET -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
输入电容 - 498pF
下降时间 5ns -
典型接通延迟时间 10ns -
导通电阻Rds(On) 8.2mΩ 25mΩ@5A,10V
库存与单价
库存 0 1,280
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.416
50+ :  ¥1.086
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQJ420EP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

30A 45W 8.2mΩ 40V 1.5V PowerPAK-SO-8L-4 -55°C~175°C 车规

暂无价格 0 当前型号
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SOT669 N-Channel 25mΩ@5A,10V 37W -55°C~175°C ±10V 40V 25A

¥0.9665 

阶梯数 价格
1,500: ¥0.9665
3,000: ¥0.9278
300,000 对比
BUK9Y12-40E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 10mΩ@15A,10V 65W -55°C~175°C ±10V 40V 52A

¥1.3243 

阶梯数 价格
1,500: ¥1.3243
3,000: ¥1.2713
300,000 对比
BUK9Y29-40E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 25mΩ@5A,10V 37W -55°C~175°C ±10V 40V 25A

¥1.416 

阶梯数 价格
40: ¥1.416
50: ¥1.086
1,280 对比
BUK9Y12-40E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 10mΩ@15A,10V 65W -55°C~175°C ±10V 40V 52A

¥2.16 

阶梯数 价格
30: ¥2.16
50: ¥1.668
537 对比
BUK9Y29-40E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 25mΩ@5A,10V 37W -55°C~175°C ±10V 40V 25A

¥2.3554 

阶梯数 价格
1,500: ¥2.3554
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