SQ3469EV-T1_GE3 与 RTQ035P02TR 区别
| 型号 | SQ3469EV-T1_GE3 | RTQ035P02TR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SQ3469EV-T1_GE3 | A-RTQ035P02TR |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 1.25W(Ta) |
| 上升时间 | 10ns | - |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Qg-栅极电荷 | 27nC | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1200pF @ 10V |
| 栅极电压Vgs | 2.5V | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 12S | - |
| 封装/外壳 | TSOP-6 | TSMT6(SC-95) |
| 连续漏极电流Id | 8A | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C | 150°C(TJ) |
| 配置 | Single | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 65 毫欧 @ 3.5A,4.5V |
| Vgs(最大值) | - | ±12V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 2.5V,4.5V |
| 下降时间 | 10ns | - |
| 导通电阻Rds(On) | 29mΩ | - |
| 功率耗散Pd | 5W | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 20V | - |
| 典型关闭延迟时间 | 32ns | - |
| FET类型 | - | P 通道 |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2V @ 1mA |
| 系列 | SQ | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 3.5A(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 20V |
| 典型接通延迟时间 | 13ns | - |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 10.5nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQ3469EV-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A 5W 29mΩ 20V 2.5V TSOP-6 -55°C~175°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
RTQ035P02TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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