首页 > 新品资讯 > > Truesemi 650V N-Channel 功率MOSFET

Truesemi 650V N-Channel 功率MOSFET

订阅可获得最新品牌资讯,品牌资源和促销活动等,已有1人订阅
+订阅 已订阅
最大程度地降低导通电阻,提供出色的开关性能

该功率MOSFET使用Truesemi的先进平面条纹DMOS技术生产。 这项先进技术经过特别设计,可最大程度地降低导通电阻,提供出色的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 这些器件非常适合于高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正

upfile

特性

  • 3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V

  • 低栅极电荷(典型值为16nC)

  • 快速切换

  • 经过100%雪崩测试

  • 改进的dv/dt功能

主要参数:

upfile

应用:

高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正

Truesemi 650V N-Channel 功率MOSFET

图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
MOS,TO-252,N沟道,650V,3A,3.0Ω(Max)
0
MOS,TO-251, N沟道,5N65,650V,3A,3Ω(Max)
0

Truesemi 500V N-Channel 功率MOSFET

图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
MOS,TO-252,N沟道,5N50,500V,4.5A,1.6Ω(Max)
0

Truesemi 600V N-Channel 功率MOSFET

图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
MOS,TO-252,N沟道,600V,4.5A,2.5Ω(Max)
0

最新资讯

查看更多
制造商:
查看详情

热门资讯

上一篇:

Nexperia 74HC138/74HCT138系列解码器/解复用器

下一篇:

ICS-41351多模式低噪声数字MEMS麦克风