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Infineon BGB741L7ESD低噪声宽带射频放大器

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高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术

BGB741L7ESD 是一款高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术。 其集成反馈在输入和输出频率高达3.5 GHz时提供高达50Ω的宽带预匹配,并提高了针对寄生振荡的稳定性。这些措施简化了任意LNA应用电路的设计。集成有源偏置减少了外部部件数量,并稳定偏置电流以应对温度和工艺变化。集成的保护元件使该器件能够抵抗静电放电 (ESD) 和高RF输入功率电平。该器件具有高度灵活性,因为偏置电流可调并且器件可在较宽的电源电压范围内工作

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特性:

  • 适用于50MHz~5GHz之间应用的高性能宽带 LNA MMIC

  • 集成 ESD 保护:所有引脚均具有 2kV HBM

  • 20dBm 的高射频输入功率鲁棒性

  • 电源电压范围 VCC=1.8V~4.0 V

  • 通过外部电阻可在5.5 mA~30 mA之间调节电流

  • 断电功能

  • 宽带 LNA 具有出色的噪声系数:6mA、3V、2.4GHz 时,NF50=1.15dB

应用:

移动电视、DAB、RKE、AMR、蜂窝网络、ZigBee、WiMAX、SDAR、WiFi、无绳电话、UMTS、WLAN

BGB741L7ESD低噪声宽带射频放大器

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