HNGTM2611AE专门为低逻辑电平的驱动应用而设计，例如MCU接口直接驱动绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该芯片集成了大电流LDO，快速电平转换器和电压检测电路，以及芯片过温保护。在这些应用中，高度集成的功能特性使该芯片具有节省成本的优势并简化应用PCB的设计，大大提高了应用的可靠性。

特性：

• 线性稳压电源（LDO）

• 输入电压检测（VDET）

• 快速IGBT驱动电路（IGBTDRV）

• 内置过温保护（TSD）

• 宽工作温度范围: -40℃~125℃

• 高压差线性稳压器LDO：200mA大电流输出，6.5uA低静态电流，低压降

• 封装形式：SOP-8

应用：

家用电器；电磁感应加热；电池供电系统；通信设备