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功率MOSFET   UDFN

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制造商编号 DMP1022UFDE-7
制 造 商 Diodes(达尔(美台))
唯样编号 A3-DMP1022UFDE-7
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Single P-Channel 12 V 160 mOhm 38 nC 0.66 W Silicon SMT Mosfet - UDFN-6
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.2V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 42.6nC @ 5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2953pF @ 4V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 UDFN
连续漏极电流Id 9.1A
Pd-功率耗散(Max) 2.03W
Qg-栅极电荷 28.4nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ
漏源极电压Vds 12V
栅极电压Vgs 350mV
上升时间 28ns
下降时间 93ns
典型关闭延迟时间 117ns
典型接通延迟时间 20ns
系列 DMP10
通道数量 1Channel
配置 SingleQuadDrain
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