Diodes 集成功率MOSFET
采用新型N和P通道器件,击穿电压高达450V
Diodes公司继续扩展其功率MOSFET产品组合,采用新型N和P通道器件,击穿电压高达450V,并提供多种封装选择。 Diodes Inc. MOSFET产品系列非常适合各种应用,包括DC-DC转换,负载开关,电机控制,背光,电池保护,电池充电器,音频电路和汽车。

特征:
l 低导通电阻
l 低栅极阈值电压
l 输入电容低
l 输入/输出泄漏低
l 切换速度快
应用:
l DC-DC转换
l 负载切换
l 电机控制
l 背光
l 电池保护
l 电池充电器
l 音频电路
l 汽车
