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AOS-AOD409 60V P-Channel MOSFET

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60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).

Alpha and Omega Semiconductor AOD409  MOSFET 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON). 具有 -55°C 至 +150°C 的非常宽的结温和存储温度范围.


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特征:

•沟槽型Power MV MOSFET技术-60V

•低RDS(ON)

•低 GATE CHARGE

•针对快速切换应用程序进行优化

•VDS:-60V

•ID (at VGS=-10V) -26A

•RDS(ON) (at VGS=-10V) < 40mΩ

•RDS(ON) (at VGS=-4.5V) < 55mΩ

•100% UIS Tested & 100% Rg Tested


应用:

•DC/DC和AC/DC转换器的同步整流

•工业和电机驱动应用


产品结构:

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参数表:

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AOD409

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