参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| 连续漏极电流Id | 40A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 70nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±25V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3250pF @ 100V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 300W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 79mΩ@20A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：30
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
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高耐压、高电流承载能力与优异的抗浪涌性能，专为交流开关控制场景设计，
高可靠性厚膜电阻，体积小、重量轻、电性能稳定、机械强度高
具备优异的静态和动态性能，适用于高dV/dt和高di/dt的严苛电路环境
产品线丰富，覆盖了从微小信号处理到高功率控制的广泛需求
低温共烧陶瓷（LTCC）工艺，低剖面厚度与低插入损耗，适用于高频率、高稳定性的射频应用
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| GP3139 | 240,000 |
| BUK7K6R2-40EX | 193,500 |
| IRF4905STRLPBF | 63,200 |
| BUK9832-55A/CUX | 44,000 |
| IRFZ24NPBF | 35,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STW48N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 40A(Tc) ±25V 300W(Tc) 79mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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R6046FNZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TO-247 |
￥64.48
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3 | 对比 | ||||
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SPW55N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
800V 54.9A 85mΩ@32.6A,10V ±20V 500W N-Channel -55°C~150°C TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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FCH072N60F | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
52A(Tc) ±20V 481W(Tc) 72m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 52A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
FCH070N60E | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
52A(Tc) ±20V 481W(Tc) 70m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 52A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
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IPW60R099C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 600V 37.9A 90mΩ 20V 278W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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