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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | IGBT晶体管 | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V | |
电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 150A | |
脉冲电流 - 集电极 (Icm) | 290A | |
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V,75A | |
功率 | 500W | |
开关能量 | 3.7mJ(开),1.3mJ(关) | |
输入类型 | 标准 | |
25°C 时 Td(开/关)值 | 33ns/84ns | |
测试条件 | 400V,75A,4 欧姆,15V | |
反向恢复时间(trr) | 147ns | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
封装/外壳 | TO-247 |
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用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS(on),低栅极电压和高电流能力,非常适合应用在DC/DC电路中