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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 4A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 53mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 45V | |
| 栅极电压Vgs | 21V | |
| 上升时间 | 15ns | |
| 下降时间 | 15ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 40ns | |
| 典型接通延迟时间 | 12ns | |
| 宽度 | 1.60mm | |
| 封装/外壳 | SOT-457T-6 | |
| 系列 | RVQ040N05 | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | SingleQuadDrain | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 0.85mm |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
一款具有快速反向恢复时间 (trr) 的功率 MOSFET
高可靠性车规小信号MOSFET，适用于开关和低侧负载开关、继电器驱动器
低导通电阻，高功率，小尺寸封装
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IPB200N25N3 G | 33,000 |
| SVS70R900DE3TR | 17,500 |
| GP3134K | 8,000 |
| IPB107N20N3 G | 7,000 |
| WST4045 | 3,650 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RVQ040N05TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-457T-6 2.9mm |
暂无价格 | 100 | 当前型号 |
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DMN4060SVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOT-23 |
暂无价格 | 21,570 | 对比 |
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DMN4060SVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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