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RVQ040N05TR  与  DMN4060SVT-7  区别

型号 RVQ040N05TR DMN4060SVT-7
唯样编号 A3-RVQ040N05TR A3-DMN4060SVT-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 45 V 46 mOhm SMT Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.60mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 53mΩ 46mΩ@4.3A,10V
上升时间 15ns -
漏源极电压Vds 45V 45V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W 1.2W(Ta)
栅极电压Vgs 21V ±20V
典型关闭延迟时间 40ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-457T-6 TSOT-23
连续漏极电流Id 4A 4.8A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 RVQ040N05 -
通道数量 1Channel -
配置 SingleQuadDrain -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
长度 2.9mm -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1287pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22.4nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 15ns -
典型接通延迟时间 12ns -
高度 0.85mm -
库存与单价
库存 100 21,570
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RVQ040N05TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-457T-6 2.9mm

暂无价格 100 当前型号
DMN4060SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TSOT-23

暂无价格 21,570 对比
DMN4060SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TSOT-23

暂无价格 0 对比

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