| 制造商编号 | BFU768F,115 |
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| 制 造 商 | NXP Semiconductors(恩智浦) |
| 唯样编号 | A32-BFU768F,115 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF晶体管 | |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 155 @ 10mA,2V | |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 70mA | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| FET类型 | NPN | |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 2.8V | |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 1.1dB @ 2.4GHz | |
| 增益 | 13.1dB | |
| 功率 | 0.22W | |
| 封装/外壳 | 4-DFP |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：100
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 7天-14天 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
生产日期 : 1542
提供更安全、更可靠、更灵活的住宅 BESS 电源和信号堆叠连接连接
新能源应用中的控制而设计，可在1000VDC下实现高切换能力
低ESR和高Q特性、稳定性和可靠性，符合AEC-Q200标准
高精度电阻器，具备极低的温度系数(TCR)和精度可达±0.1%的性能，满足严格的应用标准
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
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