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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 1mA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.4nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 285pF @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | 12V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 54m Ohms@3.5A,4.5V | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TSMT | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 3.5A |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：100
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
7天-14天
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| 起订量： 3,000 | 倍数：1 |
生产日期 : 2038
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PJC7428-AU_R1_000A1 | 801,000 |
| SQ2389ES-T1_GE3 | 54,000 |
| LP2305ALT1G | 12,000 |
| LP4101LT1G | 12,000 |
| CRTM125P06LQ | 10,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RTQ035N03TR | ROHM Semiconductor | 通用MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 54m Ohms@3.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 3.5A |
￥1.06
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15,000 | 当前型号 | |||||||||||||
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DMN3033LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 33mΩ@6.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 N-Channel 30V 6.9A |
￥0.5517
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8,229 | 对比 | ||||||||||||
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AO6402A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 7.5A 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C |
￥1.0604
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6,000 | 对比 | ||||||||||||
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AO6424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 5A 1.25W 31mΩ@5A,10V -55°C~150°C |
￥0.9322
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5,986 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMN3A03E6TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.1W(Ta) ±20V SOT-23-6 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.7A(Ta) |
￥1.3184
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5,007 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3051LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 900mW(Ta) ±20V SOT-26 -55°C~150°C(TJ) 30V 4A(Ta) |
￥0.8855
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3,000 | 对比 |
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