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功率MOSFET   SOT-26

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制造商编号 DMN3033LDM-7
制 造 商 Diodes(达尔(美台))
唯样编号 A3-DMN3033LDM-7
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
N-Channel 30 V 33 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-26-6
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 755pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 33mΩ@6.9A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-26
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 6.9A
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