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通用MOSFET   2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.9A

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制造商编号 DMN3033LSD-13
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-DMN3033LSD-13
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC   翻译
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2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.9A

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SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@10V

¥1.656 

阶梯数 价格
40: ¥1.656
100: ¥1.32
750: ¥1.1808
1,500: ¥1.1148
3,000: ¥1.056
3,000 对比

20V 28mΩ@6.3A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 6.3A,8.6A 6.3 A,8.6 A 30 V 14 m0hms,28 m0hms -20 V、+20 V 增强 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V 5.0*3.99*1.5mm

暂无价格 0 对比
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-55°C~150°C(TJ) 16.2mΩ@7.6A,10V 1.4W,2W N-Channel 30V 7.6A,11A 8-SO

暂无价格 0 对比
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-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO

暂无价格 0 对比
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SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
FET类型 2N-Channel
RdsOn(Max)@Id,Vgs 20mΩ@6.9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 725pF @ 15V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 13nC @ 10V
封装/外壳 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 6.9A
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