| 制造商编号 | SIR876ADP-T1-GE3 |
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| 制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A3t-SIR876ADP-T1-GE3 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single N-Channel 100 V 14.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8 翻译
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | TrenchFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 49nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1630pF @ 50V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 5W(Ta),62.5W(Tc) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 40A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 10.8mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 2.8V |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：1
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交期：
请咨询客服
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集成了高边和低边功率MOSFET的同步降压稳压器，3V~24V宽输入电压、24A连续输出电流
极低的正向压降（低至1.45V）和超快的反向恢复时间（最短 45 ns）
超小型环境光传感器(ALS)，集成16位高分辨率ADC和Filtron™光学滤波技术
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器，符合车规AEC-Q101标准
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IRLML6402TRPBF | 300,000 |
| NCE0102 | 210,000 |
| IRFR024NTRPBF | 110,000 |
| IRF640NPBF | 100,000 |
| SI1012CR-T1-GE3 | 75,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SIR876ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 5W(Ta),62.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40A 10.8mΩ 2.8V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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BSC098N10NS5ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
￥13.6358
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2,469 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥26.4283
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1,960 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥19.6519
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97 | 对比 |
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