| 制造商编号 | BSC098N10NS5ATMA1 |
|---|---|
| 商品别名 | BSC098N10NS5 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-BSC098N10NS5ATMA1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 100V 60A TDSON 翻译
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 60A(Tc) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 9.8 毫欧 @ 30A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3.8V @ 36uA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2100pF @ 50V | |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 28nC @ 10V | |
| 功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),69W(Tc) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 6V,10V | |
| 封装/外壳 | TDSON-8 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：5,000
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交期：
请咨询客服
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| 起订量： 5,000 | 倍数：1 |
专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计，高效率、高可靠性和高功率密度
可增强GNSS信号灵敏度，适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| SQ2389ES-T1_GE3 | 84,000 |
| CJ2101 | 36,000 |
| S-LP3407LT1G | 33,000 |
| PJC7428-AU_R1_000A1 | 18,000 |
| S-LP3443LT1G | 6,110 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BSC098N10NS5ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.2W(Ta),139W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55°C~150°C(TJ) 100V 9.4A(Ta),98A(Tc) |
￥4.647
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3,946 | 对比 | ||||||||||
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SIR876ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 5W(Ta),62.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40A 10.8mΩ 2.8V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SIR876ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 5W(Ta),62.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40A 10.8mΩ 2.8V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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