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BSC098N10NS5ATMA1  与  SIR876ADP-T1-GE3  区别

型号 BSC098N10NS5ATMA1 SIR876ADP-T1-GE3
唯样编号 A-BSC098N10NS5ATMA1 A3t-SIR876ADP-T1-GE3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 60A TDSON Single N-Channel 100 V 14.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10.8mΩ
漏源极电压Vds - 2.8V
Pd-功率耗散(Max) - 5W(Ta),62.5W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2100pF @ 50V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TDSON-8 SOIC-8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 36uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 28nC @ 10V -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 40A
系列 - TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.8V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1630pF @ 50V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 9.8 毫欧 @ 30A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 49nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 60A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC098N10NS5ATMA1 Infineon  数据手册 通用MOSFET

N 通道 -55°C~150°C(TJ) TDSON-8

暂无价格 0 当前型号
DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta),139W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55°C~150°C(TJ) 100V 9.4A(Ta),98A(Tc)

¥4.647 

阶梯数 价格
20: ¥4.647
100: ¥3.8709
1,250: ¥3.5156
2,500: ¥3.3847
3,946 对比
SIR876ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 5W(Ta),62.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40A 10.8mΩ 2.8V

暂无价格 0 对比
SIR876ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 5W(Ta),62.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40A 10.8mΩ 2.8V

暂无价格 0 对比

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