BSC098N10NS5ATMA1 与 SIR876ADP-T1-GE3 区别
| 型号 | BSC098N10NS5ATMA1 | SIR876ADP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSC098N10NS5ATMA1 | A-SIR876ADP-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 60A TDSON | Single N-Channel 100 V 14.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),69W(Tc) | - |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 10.8mΩ |
| 漏源极电压Vds | - | 2.8V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 5W(Ta),62.5W(Tc) |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2100pF @ 50V | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N 通道 | N-Channel |
| 封装/外壳 | TDSON-8 | SOIC-8 |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3.8V @ 36uA | - |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 28nC @ 10V | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 40A |
| 系列 | - | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1630pF @ 50V |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 9.8 毫欧 @ 30A,10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 49nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 60A(Tc) | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 6V,10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BSC098N10NS5ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.2W(Ta),139W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55°C~150°C(TJ) 100V 9.4A(Ta),98A(Tc) |
￥4.647
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3,946 | 对比 | ||||||||||
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SIR876ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 5W(Ta),62.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40A 10.8mΩ 2.8V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SIR876ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 5W(Ta),62.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40A 10.8mΩ 2.8V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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