| 制造商编号 | TK16A60W,S4VX(M |
|---|---|
| 制 造 商 | Toshiba(东芝) |
| 唯样编号 | A33-TK16A60W,S4VX(M-2 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK16A60W,S4VX(M, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 15.8 A | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 190 m0hms | |
| 栅极电压Vgs | 3.7V | |
| 栅极电压Vgs | ±30V | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 功率 | 40W | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | TK | |
| 漏源极电压Vds | 1350 pF @ 300 V | |
| 典型关断延迟时间 | 100 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 50 ns | |
| 封装/外壳 | TO-220SIS |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 6 + | ￥26.6966 |
| 10 + | ￥16.8459 |
| 30 + | ￥12.7926 |
整包（请按50的倍数下单） |
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| 50 + | ￥11.978 |
| 100 + | ￥11.3744 |
| 300 + | ￥10.9623 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：50
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
3周-4周
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| 起订量： 6 | 倍数：1 |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| SI7617DN-T1-GE3 | 300,000 |
| NCEP035N85GU | 85,000 |
| S-LP80N04D2 | 40,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 30,000 |
| WSD40P10DN56 | 25,000 |
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