| 制造商编号 | TK20A60W,S5VX(M |
|---|---|
| 制 造 商 | Toshiba(东芝) |
| 唯样编号 | A33-TK20A60W,S5VX(M-2 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK20A60W,S5VX(M, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 未分类 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 20 A | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 155 m0hms | |
| 栅极电压Vgs | 3.7V | |
| 栅极电压Vgs | ±30V | |
| 封装/外壳 | TO-220SIS | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| FET类型 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 功率 | 45W | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 高度 | 15mm | |
| 长度 | 10mm | |
| 系列 | TK | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 漏源极电压Vds | 1680 pF @ 300 V | |
| 典型关断延迟时间 | 100 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 50 ns | |
| 封装/外壳 | 10.0*4.5*15.0mm |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 6 + | ￥27.9232 |
| 10 + | ￥17.3346 |
| 30 + | ￥13.2813 |
整包（请按50的倍数下单） |
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| 50 + | ￥12.4763 |
| 100 + | ￥11.8631 |
| 300 + | ￥11.4606 |
| 500 + | ￥11.3839 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：50
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
3周-4周
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| 起订量： 6 | 倍数：1 |
CMP系列 车规级 2010封装 电流传感电阻 高性能 高可靠性
TCQ系列 聚合物钽电容 符合AEC-Q200 低ESR 高频特性
eAIT-II系列 连接器 车规 线对线/线对板 0.64mm间距
车规级晶振 DSX321G系列 小型化设计、宽频率覆盖范围、优异的温度特性和高可靠性
车规级 40V N-Channel 增强型 MOSFET,导通电阻＜1Ω,
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| MMBT5551Q | 4,800 |
| BZT52B36 | 2,010 |
| MDF7-5S-2.54DSA(56) | 877 |
| XT60H-M | 414 |
| ID09S33E4GV00LF | 328 |
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