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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | PowerTrench® | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 8.8A(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 24nC @ 5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1604pF @ 15V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20m Ohms@8.8A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 8.8 A | |
| 漏源极电压Vds | 30 V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.035 0hms | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| FET类型 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W | |
| 正向跨导 | 24S | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 宽度 | 3.9mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 漏源极电压Vds | 1604 pF @ -15 V | |
| 典型关断延迟时间 | 42 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 高度 | 1.57mm | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 封装/外壳 | SO-8 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
请咨询客服
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| 起订量： 2,500 | 倍数：1 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| SQ2389ES-T1_GE3 | 84,000 |
| CJ2101 | 36,000 |
| S-LP3407LT1G | 33,000 |
| PJC7428-AU_R1_000A1 | 18,000 |
| S-LP3443LT1G | 6,110 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI4435DY | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
30V 8.8A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20m Ohms@8.8A,10V -55°C~175°C(TJ) P-Channel 8.8 A 30 V 0.035 0hms -20 V、+20 V 增强 2.5W 1604 pF @ -15 V SO-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.595
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6,320 | 对比 | ||||||||||||
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AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C |
￥1.5385
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2,667 | 对比 | ||||||||||||
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AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C |
￥1.0769
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925 | 对比 | ||||||||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.2352
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0 | 对比 | ||||||||||||
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IRF9332TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 9.8A 28.1mΩ 2.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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