| 型号 | SI4435DY | AO4419 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4435DY | A36-AO4419 | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | P-Channel 30 V 20 mOhm 17 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Crss(pF) | - | 125 | ||||||||||
| 宽度 | 3.9mm | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.035 0hms | 20mΩ@10V | ||||||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 35mΩ | ||||||||||
| 引脚数目 | 8 | - | ||||||||||
| 最小栅阈值电压 | 1V | - | ||||||||||
| Qgd(nC) | - | 4.6 | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | 20V | ||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 10 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | SO-8 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 8.8 A | -9.7A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - | ||||||||||
| Ciss(pF) | - | 1040 | ||||||||||
| 长度 | 4.9mm | - | ||||||||||
| 最低工作温度 | -55 °C | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 正向二极管电压 | 1.2V | - | ||||||||||
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - | ||||||||||
| 最高工作温度 | +175 °C | - | ||||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||||
| 高度 | 1.57mm | - | ||||||||||
| Trr(ns) | - | 11.5 | ||||||||||
| 类别 | 功率 MOSFET | - | ||||||||||
| 典型关断延迟时间 | 42 ns | - | ||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 26 | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 1604 pF @ -15 V | -30V | ||||||||||
| 晶体管材料 | Si | - | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W | 3.1W | ||||||||||
| Qrr(nC) | - | 25 | ||||||||||
| 晶体管配置 | 单 | - | ||||||||||
| VGS(th) | - | -2.5 | ||||||||||
| FET类型 | 增强 | P-Channel | ||||||||||
| 系列 | PowerTrench | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1604pF @ 15V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 24nC @ 5V | - | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | - | ||||||||||
| 正向跨导 | 24S | - | ||||||||||
| Coss(pF) | - | 180 | ||||||||||
| Qg*(nC) | - | 9.6 | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 6,320 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI4435DY | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
30V 8.8A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20m Ohms@8.8A,10V -55°C~175°C(TJ) P-Channel 8.8 A 30 V 0.035 0hms -20 V、+20 V 增强 2.5W 1604 pF @ -15 V SO-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.595
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6,320 | 对比 | ||||||||||||
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AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C |
￥1.5385
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2,667 | 对比 | ||||||||||||
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AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C |
￥1.0769
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925 | 对比 | ||||||||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.2352
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0 | 对比 | ||||||||||||
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IRF9332TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 9.8A 28.1mΩ 2.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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