| 制造商编号 | PMV52ENEAR |
|---|---|
| 商品别名 | PMV52ENEA |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-PMV52ENEAR-CN |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB 翻译
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参数有误?
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT23 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 70mΩ@3.2A,10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.63W | |
| 工作温度 | -55°C~175°C | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 输入电容 | 100pF | |
| 输出电容 | 30pF | |
| 连续漏极电流Id | 3.2A | |
| 产品特性 | 车规 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
整包(请按3000的倍数下单) |
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| 3,000 + | ¥1.6765 |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
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最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期:
30W
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| 起订量: 3,000 | 倍数:1 |
高性能 NPN型电阻内置晶体管,专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器,可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件,与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器,可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr,可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBSS8402DW1T1G | 147,000 |
| LBSS138DW1T1G | 120,000 |
| S-LNTR4003NLT1G | 96,000 |
| 2N7002KTB_R1_00001 | 24,000 |
| LSI1012LT1G | 21,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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PMV52ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.63W -55°C~175°C ±20V 30V 3.2A 车规 |
¥1.6765
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0 | 当前型号 | ||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
¥1.0829
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2,275 | 对比 | ||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
¥5.3794
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100 | 对比 | ||||||||||
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DMN3200U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 650mW(Ta) ±8V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.2A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSS306N H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
30V 2.3A 44mΩ 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |