PMV52ENEAR 与 DMN3200U-7 区别
| 型号 | PMV52ENEAR | DMN3200U-7 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMV52ENEAR-CN | A-DMN3200U-7 | ||
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB | MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| 产品特性 | 车规 | - | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.63W | 650mW(Ta) | ||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 90mΩ@2.2A,4.5V | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 290 pF @ 10 V | ||
| 输出电容 | 30pF | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±8V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT23 | SOT-23-3 | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 3.2A | 2.2A(Ta) | ||
| 驱动电压 | - | 1.5V,4.5V | ||
| 输入电容 | 100pF | - | ||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 70mΩ@3.2A,10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PMV52ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.63W -55°C~175°C ±20V 30V 3.2A 车规 |
￥1.6765
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0 | 当前型号 | ||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥1.0829
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2,275 | 对比 | ||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥5.3794
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100 | 对比 | ||||||||||
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DMN3200U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 650mW(Ta) ±8V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.2A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSS306N H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
30V 2.3A 44mΩ 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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