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功率MOSFET   8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

特惠

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制造商编号 RQ3E080GNTB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A32-RQ3E080GNTB-1
供货
产品状态

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
连续漏极电流Id 8A
功率耗散Pd 2W
Qg-栅极电荷 5.8nC
导通电阻Rds(On) 16.7mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs ±20V
上升时间 3.6ns
下降时间 2.4ns
典型关闭延迟时间 17.3ns
典型接通延迟时间 6.9ns
封装/外壳 HSMT-8
FET类型 N-Channel
正向跨导 - 最小值 7S
通道数量 1Channel
配置 Single
工作温度 -55°C~150°C
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库存 :  3,100

价格梯度 单价(含税)
100 + ¥2.5654
500 + ¥2.4229
1,000 + ¥2.2091

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.5654 

阶梯数 价格
100: ¥2.5654
500: ¥2.4229
1,000: ¥2.2091
3,000: ¥1.8528
3,100 当前型号
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40: ¥1.38
100: ¥1.0668
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50: ¥1.212
100: ¥0.81
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暂无价格 4,000 对比
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

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¥0.6138 

阶梯数 价格
90: ¥0.6138
566 对比
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