RQ3E080GNTB 与 DMG7408SFG-7 区别
| 型号 | RQ3E080GNTB | DMG7408SFG-7 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-RQ3E080GNTB-1 | A36-DMG7408SFG-7 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W | - | ||||||||||||
| 上升时间 | 3.6ns | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 5.8nC | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 17.3ns | - | ||||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 7S | - | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||
| 封装/外壳 | HSMT-8 | PowerDI3333-8 | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 8A | - | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||||
| 下降时间 | 2.4ns | - | ||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 6.9ns | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 16.7mΩ@8A,10V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 3,100 | 9,293 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RQ3E080GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.5654
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3,100 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG7408SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
￥0.6354
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9,293 | 对比 | ||||||||||
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AON7406 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 25A 15.5W 17mΩ@10V |
￥1.38
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4,982 | 对比 | ||||||||||
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AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V |
￥1.212
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4,295 | 对比 | ||||||||||
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DMG7408SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||
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AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V |
￥0.6138
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566 | 对比 |
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