AO6424 与 DMG6402LVT-7 区别
| 型号 | AO6424 | DMG6402LVT-7 | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A-AO6424 | A36-DMG6402LVT-7 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | AOS | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||
| 描述 | Single N-Channel 30 V 42 mOhm 11.4 nC 1.75 W Silicon SMT Mosfet - TSOT-26 | |||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| Crss(pF) | 35 | - | ||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 31mΩ@5A,10V | 30mΩ | ||||||||||||||||||
| 上升时间 | - | 6.2ns | ||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | 43mΩ | - | ||||||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 11.4nC | ||||||||||||||||||
| Qgd(nC) | 1.3 | - | ||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 1.5V | ||||||||||||||||||
| Td(on)(ns) | 4.5 | - | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TSOP-6 | TSOT-26 | ||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 5A | 6A | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||||
| Ciss(pF) | 255 | - | ||||||||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||||||||||
| 下降时间 | - | 2.8ns | ||||||||||||||||||
| Trr(ns) | 8.5 | - | ||||||||||||||||||
| Td(off)(ns) | 14.5 | - | ||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W | 1.75W | ||||||||||||||||||
| Qrr(nC) | 2.2 | - | ||||||||||||||||||
| VGS(th) | 2.4 | - | ||||||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 13.9ns | ||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||||||||
| 系列 | - | DMG6402 | ||||||||||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 498pF @ 15V | ||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11.4nC @ 10V | ||||||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 3.4ns | ||||||||||||||||||
| Coss(pF) | 45 | - | ||||||||||||||||||
| Qg*(nC) | 2.55 | - | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 2,979 | 9,719 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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AO6424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 5A 1.25W 31mΩ@5A,10V -55°C~150°C |
￥1.5385
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2,979 | 当前型号 | ||||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥1.0829
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2,275 | 对比 | ||||||||||||
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RTQ035N03TR | ROHM Semiconductor | 通用MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 54m Ohms@3.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 3.5A |
￥0.8851
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1,100 | 对比 | |||||||||||||
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RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta) |
￥2.4244
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983 | 对比 | ||||||||||||
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RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta) |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
暂无价格 | 200 | 对比 |
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