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AOD413A  与  TJ10S04M3L(T6L1,NQ  区别

型号 AOD413A TJ10S04M3L(T6L1,NQ
唯样编号 A-AOD413A A-TJ10S04M3L(T6L1,NQ
制造商 AOS Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 68 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 44mΩ@-12A,-10V -
Rds On(Max)@4.5V 66mΩ -
产品状态 - 在售
Qgd(nC) 3.5 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 930 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
Td(on)(ns) 6.2 -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 19 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252 DPAK+
连续漏极电流Id -12A 10A(Ta)
工作温度 -55℃~175℃ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 900 -
Vgs(最大值) - +10V,-20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
Trr(ns) 21.2 -
Td(off)(ns) 44.8 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds -40V 40 V
Pd-功率耗散(Max) 50W 27W(Tc)
Qrr(nC) 13.8 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 44 毫欧 @ 5A,10V
VGS(th) -3 -
FET类型 P-Channel P-Channel
Coss(pF) 97 -
Qg*(nC) 7.2 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD413A AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 当前型号
DMP4047SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

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DPAK

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TO-252,(D-Pak)

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AOD413A_002 AOS  数据手册 功率MOSFET

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