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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | TO-252 | |
FET类型 | P-Channel | |
漏源极电压Vds | -40V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
连续漏极电流Id | -12A | |
Pd-功率耗散(Max) | 50W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 44mΩ@-12A,-10V | |
Rds On(Max)@4.5V | 66mΩ | |
VGS(th) | -3 | |
Ciss(pF) | 900 | |
Coss(pF) | 97 | |
Crss(pF) | 68 | |
Qg*(nC) | 7.2 | |
Qgd(nC) | 3.5 | |
Td(on)(ns) | 6.2 | |
Td(off)(ns) | 44.8 | |
Trr(ns) | 21.2 | |
Qrr(nC) | 13.8 | |
工作温度 | -55℃~175℃ |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 请咨询客服 |
用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS(on),低栅极电压和高电流能力,非常适合应用在DC/DC电路中
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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IPB200N25N3 G | 33,000 |
SVS70R900DE3TR | 17,500 |
GP3134K | 8,000 |
IPB107N20N3 G | 7,000 |
WST4045 | 3,650 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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AOD413A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
DMP4047SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
TJ10S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
DPAK+ |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
TJ15P04M3,RQ(S | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
AOD413 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252,(D-Pak) |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
AOD413A_002 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 |