AON6576 与 IRFH8325TRPBF 区别
| 型号 | AON6576 | IRFH8325TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AON6576 | A-IRFH8325TRPBF |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.7mΩ@20A,10V | 5mΩ@20A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 26W | 3.6W(Ta),54W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | DFN 5x6 | PQFN 5X6 8L |
| 连续漏极电流Id | 32A | 21A(Ta),82A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 2.35V @ 50µA |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2487pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 32nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AON6576 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
|
RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||
|
IRFH5304TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRFH8325TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 21A(Ta),82A(Tc) ±20V 3.6W(Ta),54W(Tc) 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PQFN 5X6 8L |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
BSC042N03LS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 93A 4.2mΩ 20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
¥2.6442
|
0 | 对比 |