AON6576 与 RQ3E180AJTB 区别
| 型号 | AON6576 | RQ3E180AJTB | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-AON6576 | A36-RQ3E180AJTB | ||||||||||
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 26W | 2W(Ta),30W(Tc) | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±12V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | DFN 5x6 | 8-PowerVDFN | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 32A | 18A(Ta),30A(Tc) | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 4.7mΩ@20A,10V | 4.5mΩ@18A,4.5V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 11mA | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4290pF @ 15V | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 39nC @ 4.5V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 3,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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AON6576 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
￥1.969
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
￥5.232
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2,895 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
￥1.408
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2,315 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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