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AON7534  与  BSZ0904NSI  区别

型号 AON7534 BSZ0904NSI
唯样编号 A-AON7534 A-BSZ0904NSI
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5mΩ@20A,10V 3.3mΩ
上升时间 - 4.4ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 23W 37W
Qg-栅极电荷 - 23nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 41S
典型关闭延迟时间 - 16ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 3x3 EP -
连续漏极电流Id 30A 40A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
长度 - 3.3mm
下降时间 - 3ns
典型接通延迟时间 - 3.3ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 0 403
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7534 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 30A 23W 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥5.8741 

阶梯数 价格
30: ¥5.8741
50: ¥3.9384
100: ¥3.2964
300: ¥2.8652
500: ¥2.7789
1,000: ¥2.7215
2,775 对比
BSZ0904NSI Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V 40A 3.3mΩ 20V 37W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 403 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥5.8741 

阶梯数 价格
30: ¥5.8741
50: ¥3.9384
100: ¥3.2964
104 对比
IRFHM8326TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta),37W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 4.7mΩ@20A,10V PQFN N-Channel 30V 19A

暂无价格 0 对比
NTTFS4937NTWG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比

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